2026-01-08
最新消息
【 📣十二月份專利獲證清單資料，共8件✨ 】
| 技術領域 | 專利名稱/國別 |
發明人 |
證書號／取證日 | 摘要 |
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| 半導體 | High electron mobility transistor/US | 張翼,翁祐晨,高旻祿 | US 12,495,569 B2/2025-12-09 | A high electron mobility transistor includes a growth substrate, a lattice matching layer, an back-barrier layer, an electron blocking layer, a channel layer, an active layer, a source, a gate, and a drain. The lattice matching layer and the back-barrier layer are formed on the growth substrate. The back-barrier layer includes GaN doped with C. The electron blocking layer is formed on the back-barrier layer. The electron blocking layer includes AlGaN, wherein the doping percent of Al atoms of the AlGaN is 3˜5% and the doping percent of Ga atoms of the AlGaN is 95˜97%. The electron blocking layer has a thickness of 2˜5 nm. The channel layer and the active layer are formed on the electron blocking layer. The source, the gate, and the drain are formed on the active layer. |
| 生醫 | 預測免疫反應之方法、系統及其電腦可讀取媒體/TW | 柯泰名,王瀞瑢 | I907309/2025-12-01 | 一種預測免疫反應之方法，包含基因特徵擷取單元提供單細胞之轉錄體資料予深度學習模型，以建立訓練資料集；以及模組建立與優化單元根據訓練資料集建立預測免疫反應模組。一種預測免疫反應之系統，包含基因特徵擷取單元，用以提供單細胞之轉錄體資料予深度學習模型，以建立訓練資料集；以及模組建立與優化單元，用以根據訓練資料集建立預測免疫反應模組。一種電腦可讀取媒體，儲存電腦可執行程式，當電腦載入電腦可執行程式並執行後，能實現所述之方法。 |
| 車用/能源 | 基於區塊鏈的電力資訊處理系統及其方法/TW | 鍾舜宇,陳騰瑞,周姚廷,林春成 | I907964/2025-12-11 | 一種基於區塊鏈的電力資訊處理系統及其方法，系統耦接複數供電設備，包括一設備資料庫及至少一處理器，設備資料庫儲存供電設備之設備資料及電力數據；處理器將設備資料及電力數據透過一智能合約上傳至一區塊鏈。當收到數據請求時，處理器透過智能合約及供電設備的設備資料，從區塊鏈中取得對應於供電設備的電力數據，並根據電力數據計算一充電費用，透過網路將充電費用傳送至一電子裝置以進行付費。而當供電設備對一裝置進行充電時，則根據充電相關資訊計算充電費用，再將充電費用傳送至電子裝置以進行付費。本發明利用區塊鏈儲存電力數據，當使用者請求電力數據時，系統從區塊鏈取得電力數據以計算電費，提高資料安全性。 |
| 光電 | 光收發系統/TW | 黃耀緯 | I908005/2025-12-11 | 一種光收發系統包含下基板、光發射模組以及光接收模組。光發射模組位於下基板上。光接收模組位於下基板上及光發射模組的一側。光接收模組包含光偵測器以及超穎透鏡陣列。光偵測器位於下基板上。超穎透鏡陣列位於光偵測器上方且朝向光偵測器，其中超穎透鏡陣列包含複數個超穎透鏡。 |
| 半導體 | 多相位雙邊緣數位脈衝寬度調變裝置/TW | 劉柏村,甘鎧誌,邱昱銓,許智傑,張書瑋,蘇聖捷 | I909540/2025-12-21 | 一種導電橋式記憶體元件，依序堆疊地包含導電電極層、電阻切換層、阻擋層及銅電極層。電阻切換層包括氧化鋅種子層及奈米柱層。奈米柱層具有複數個自氧化鋅種子層朝向阻擋層的方向延伸的摻雜銅的氧化鋅奈米柱。奈米柱層是利用包含還原劑、醋酸鋅及醋酸銅的前驅液進行水熱反應所形成。在前驅液中，醋酸銅的含量為0.1wt%至0.75wt%。透過摻雜銅的氧化鋅奈米柱，導電橋式記憶體元件的操作功耗得以降低且穩定性得以提升。透過水熱反應形成奈米柱層，導電橋式記憶體元件的製備方法具有低能耗及低成本的優點，且能夠精準地控制摻雜銅的氧化鋅奈米柱的生長。 |
| 半導體 | GATE FABRICATION METHOD OF AN U-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND TRENCH GATE STRUCTURE FORMED THEREOF/US | 崔秉鉞,薛立甜 | US 12,507,436 B2 /2025-12-23 | A gate fabrication method of an UMOSFET and a trench gate structure formed thereof are provided, comprising providing a transistor structure and a lithography process is employed to define a trench region. A gate oxide layer is deposited along the trench and two polysilicon sidewalls having a spacing there in between are formed afterwards. A wet etching is used to remove the gate oxide layer underneath the polysilicon sidewalls such that a vacancy is formed at the trench bottom. By oxidizing the polysilicon sidewalls, a thick oxide layer is formed, enfolding periphery of the polysilicon sidewalls and filling the vacancy. The spacing can be alternatively retained between the polysilicon sidewalls covered with the thick oxide layer, such that the trench can be alternatively filled. The present invention is effective in increasing oxide thickness of the gate bottom, reducing the trench corner curvature as well as the feedback capacitance. |
| 生醫工程 | 膝關節輔具裝置與具有動力源組件的機構/TW | 楊秉祥,鄭潔盈 | I908163 /2025-12-11 | 提供一種具有動力源組件(pos)的機構(ppa)。該機構(ppa)還包括第一支撐桿(sp1)、連桿(li2)、動力傳遞結構(pwe)、以及第二支撐桿(sp2)。該動力源組件(pos)具有第二端部(posa)、側部(li1b)、以及受致動部(poc)。該連桿(li2具有彼此相對的第三端部(li2a)與第四端部(li2b)。該動力傳遞結構(pwe)具有一第一端部(pn2a)、一安裝部(pn2c)、以及設置於該第一端部(pn2a)與該安裝部(pn2c)之間的一動力本體(pwc)。該側部(li1b)安裝於該第一支撐桿(sp1)，該第三端部(li2a)與該第二端部(posa)結合，該受致動部(poc)用以被該動力本體(pwc)致動，且該安裝部(pn2c)安裝於該第二支撐桿(sp2)中，其中該第一端部(pn2a)可轉動地設置於該第四端部(li2b)上。 |
| 生醫 | 用於放射藥物治療及光熱治療的醫藥組成物及其用途/TW | 吳駿一,李易展,陳志成,王信二,陳傳霖,林旻穎,謝昕樺 | I907747/2025-12-11 | 本揭露提供一種包括奈米複合物之醫藥組成物，該奈米複合物包括藉由金屬螯合劑接載的奈米金星粒子與放射性核種，其兼具影像診斷、放射藥物治療及光熱治療之功效，且可透過近接治療直接施用於腫瘤。本揭露進一步提供一種醫藥組成物之用途，其係用於製備診斷及治療癌症之藥劑。 |
活動承辦人：智權管理及推動中心
Email：ipcenter@nycu.edu.tw
聯絡電話：03-5738251
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