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2026-04-09

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【 📣115年3月份專利獲證清單資料，共12件✨ 】

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技術領域	專利名稱/國別	發明人	證書號／取證日	摘要
半導體	功率半導體裝置與功率半導體裝置的製備方法/TW	洪瑞華	I919876/2026-03-21	一種功率半導體裝置，包含一第一電極單元、一疊置於該第一電極單元上的散熱基板、一疊置於該散熱基板上的金屬連結單元、一疊置於該金屬連結單元上的氧化鎵單元、一疊置於該氧化鎵單元上的氮化鎵單元，及一疊置於該氮化鎵單元上的第二電極單元。其中，該氧化鎵單元包括一N型氧化鎵層，該氮化鎵單元包括一P型氮化鎵層，且該第二電極單元包括至少一第二電極金屬層。通過該散熱基板，能有效將該氧化鎵單元與該氮化鎵單元於運作中產生的熱導出，以解決該功率半導體裝置的散熱問題。
光電	光轉向器及光學互連整合晶片/TW	鄒志偉,張祐嘉,許仲宇,謝秉諺,林沅增	I917251/2026-03-01	本發明提供一種光轉向器及光學互連整合晶片，其中光轉向器包含焦平面單元、微調單元及光柵單元，透過焦平面單元進行粗調轉向，微調單元改變折射率以進行微調，光柵單元利用色散效應依波長將光束導向不同方位角與仰角發射空間光束。光學互連整合晶片則包含多個晶片組，至少兩個相鄰晶片組內包括有光轉向器，並在相鄰的晶片組之間設有光傳輸單元，使相鄰晶片組可透過光轉向器與光傳輸單元進行光學分光與調製，用以接收及傳送調製光束，使得本發明達成高解析度之可控多光束轉向，並降低功耗的目的。
化學	氣體檢測系統及吸取式採樣裝置/TW	陳俐吟,冉曉雯,孟心飛,姜直呂,張祐誠	I919776/2026-03-21	一種氣體檢測系統，適用於檢測一待採樣物中的氣體，該氣體檢測系統包含一吸取式採樣裝置及一氣體檢測裝置。吸取式採樣裝置適用於採樣該待採樣物，並包括一採樣筒及一採樣單元。採樣筒包括一主筒體及一形成於該主筒體的輸出側管，該主筒體界定出一容置空間，該輸出側管能連通該容置空間。採樣單元設置於該主筒體，適用於將該待採樣物吸取至該容置空間。氣體檢測裝置連通該輸出側管，適用於檢測該待採樣物中的氣體。
生醫	腦神經訊號分析與刺激之裝置與方法/TW	歐陽盟,吳昆達,陳鵬介,姜智荃,顏永哲	I919975/2026-03-21	一種腦神經訊號分析與刺激之裝置與方法，包括一處理器，接收一感測器所傳送之一時間序列的深腦神經電位訊號並進行分析，處理器包括：一特徵提取模組，從深腦神經電位訊號中提取電壓大於一第一閾值的複數突刺（spike）；一計數模組，根據突刺在時間序列上的複數時間點計算複數突刺時間間隔；以及一生物標記模組，計算突刺時間間隔之一標準差，當標準差高於一第二閾值時，生物標記模組輸出一刺激頻率和一刺激幅度。本發明可減少計算閉迴路深腦電刺激電流所消耗之時間，降低感測訊號與刺激訊號間之延遲。
光學元件	可變焦透鏡元件、矯正透鏡組件及光學顯示系統/CN	林怡欣,蔡易翔,黃葶芛,黃浩鑫	CN116643340B/2026-03-17	本发明提供一种可变焦透镜元件、矫正透镜组件及光学显示系统，该可变焦透镜元件包含透镜单元及偏振控制器。所述透镜单元依据不同偏振方向的光束而具有不同的光焦度。当光束经由处于第一状态的偏振控制器被导入所述可变焦透镜元件时，所述光束的偏振方向被所述偏振控制器转换。当所述光束经由处于第二状态的偏振控制器被导入所述可变焦透镜元件时，能防止所述光束的偏振方向被所述偏振控制器转换。
光學元件	餅乾透鏡組件/CN	林怡欣,王毓仁,黃葶芛	CN116560084B/2026-03-06	本发明提供一种饼干透镜组件，包含部分反射镜、反射偏振片、四分之一波片、偏振依赖光学元件、及至少一偏振控制器。当光束沿着位于Z方向的光轴被导入所述饼干透镜组件，并穿过处于第一状态的所述偏振控制器，所述光束的偏振方向被所述偏振控制器转换。当所述光束沿着所述光轴被导入所述饼干透镜组件，并穿过处于第二状态的所述偏振控制器，能防止所述光束的偏振方向被所述偏振控制器转换。由此，能缓解用户的双眼因视觉辐辏调节冲突(VAC)所造成的视觉疲劳与双眼的不适感。
藥物開發	脂肪酸合併Malonamide衍生物為新型抗藥性金黃色葡萄球菌新藥/EP	蕭崇瑋	4260704/2026-03-11	Disclosed herein are an antimicrobial composition and related methods. With the synergistic effect of amide compounds and fatty acids in the composition, not only the antibacterial effect against drug-resistant bacteria can be achieved with a smaller amount of amide compounds, but the persister cells and biofilms of microorganisms can be effectively and quickly eradicated.
機器人	METHOD AND SYSTEM FOR PATH PLANNING OF ROBOT ARM IN DYNAMIC ENVIRONMENT/US	宋開泰,李權哲	US 12,564,960 B2/2026-03-03	A method for path planning of a robot arm in a dynamic environment includes steps as follows. During an operation of the robot arm in a three-dimensional environment, a state of an obstacle is obtained in real time, and when a collision danger occurs, the robot arm is allowed to dodge the obstacle. In the collision danger, a partial path of the robot arm is re-planned based on a hybrid RRT, so that the robot arm avoids dynamic and static obstacles in an environment and then returns to an original path for continuing operation.
半導體	衰減器 / JP	曹逸凡,許恒通,蔡庭以	JP3254985U / 2026-03-06	挿入損失を減らし,動的減衰範囲を増やし,位相安定性を維持する,減衰器を提供する.【解決手段】減衰器は,第1トランジスタ,第2トランジスタ,第3トランジスタおよび補償回路を含む.第1トランジスタの第1端と第2端はそれぞれ信号入力端と信号出力端に連結される.第2トランジスタはトランジスタの第1端と接地端の間に連結される.第3トランジスタは第1トランジスタの第2端と接地端の間に連結される.補償回路は第1トランジスタに並列に連結される.第1トランジスタ,第2トランジスタおよび第3トランジスタの複数の制御端はそれぞれ第1バイアス電圧,第2バイアス電圧および第3バイアス電圧を受信する.補償回路と第1トランジスタは共振回路を構成する.共振回路は共振周波数を有する.
半導體	SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TWO-DIMENSIONAL MATERIALS AND FORMING METHOD THEREOF/US	胡正明,張書睿 ,簡昭欣,王信淵 ,黃御哲	US 12,588,431 B2 / 2026-03-24	A method includes following steps. A single-crystalline two-dimensional (2D) semiconductor layer is formed over a substrate. A single-crystalline 2D material layer is epitaxially grown on the single-crystalline 2D semiconductor layer. The single-crystalline 2D material layer is lattice-matched with the single-crystalline 2D semiconductor layer. A semiconductor device is over the single-crystalline 2D semiconductor layer.
通訊	System, tag and method of performing location tracking with ultra wideband(UWB) / JP	黃經堯,史蒂芬,夏克恩	JP7837824 / 2026-03-23	Systems and methods of performing location tracking with ultra wideband (UWB) are provided. The system includes a network formed by base stations and tags. In operation, the system configures multiple Time Division Multiple Access (TDMA) slots within a predetermined time frame. The TDMA slots include a clock calibration packet (CCP) slot, personal area network (PAN) identifier request and response slots, and TDMA tag slots. In the CCP slot, clock synchronization is performed among the base stations and the tags. In the PAN identifier request and response slots, the base stations receive reservation requests from the tags, and send correspond reservation responses. In each TDMA tag slot, the base stations listen to ranging requests from each tag, and send corresponding ranging responses with corresponding timestamps indicating the corresponding TDMA tag slot for each tag. Each tag only wakes up during the corresponding TDMA tag slot, thus achieving low power consumption.
半導體	THREE-DIMENSIONAL SOURCE CONTACT STRUCTURE AND FABRICATION PROCESS METHOD OF MAKING THE SAME / US	崔秉鉞,王睿誠,薛立甜,蕭瑞澤	US 12,588,264 B2 / 2026-03-24	A three-dimensional source contact structure and fabrication process method thereof are provided. A lithography process and shallow trench process are sequentially performed to form a metal contact window in a power device. A source heavily doped area is divided by the metal contact window into a first and a second heavily doped region. A lateral etching process is applied to an inter-layer dielectric to form a first and a second dielectric layer, each of which is in a trapezoid shape. Meanwhile, a first and a second metal-source surface contact regions are exposed. A longitudinal surface exposed by the shallow trench process is beneficial to increase vertical contact when depositing a source contact metal, thereby a step-like three-dimensional source contact structure can be formed. The present invention achieves in reducing cell pitch effectively and can be widely applied to various power devices having MOSFET structure thereof.

活動承辦人：智權管理及推動中心
Email：ipcenter@nycu.edu.tw
聯絡電話：03-571-5131 #66342

 

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